IRLZ44ZPBF vs IRLZ44NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLZ44ZPBF par Infineon et IRLZ44NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLZ44ZPBF IRLZ44NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $0,68
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLZ44ZPBF —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 51 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 13.5 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V 22 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Total Gate Charge (Qg) 24 nC 32 nC
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Power Dissipation (PD) 80 W —
Boîtier TO-220AB TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Type de montage Through-Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-Level (4.5V to 10V) —
Technology HEXFET HEXFET (advanced process)
Qualification Automotive (per manufacturer description) —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

Fiches techniques et ressources

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