IRS21271STRPBF vs IR2117STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS21271STRPBF par Infineon et IR2117STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS21271STRPBF IR2117STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,58
Fonction High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output Gate Driver, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Input Type Non-Inverting —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (automotive VBS range) —
VCC Supply Voltage 12 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.3 V —
Current Sense Comparator Integrated (CS pin with reference) —
Fault Output Yes (open-drain FAULT pin) —
Floating Channel Transient Immunity Negative VS transient tolerant, dV/dt immune —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm body width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL 3 MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Configuration — High-Side Single Channel
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Nombre de sorties — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Temps de montée — 80 ns (typ)
Temps de descente — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
Boîtier / Format — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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