IRS21271STRPBF vs IR2117STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS21271STRPBF от Infineon и IR2117STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRS21271STRPBF IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2117STRPBF IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRS21271STRPBF IR2117STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,02 $0,58
Функция High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output Gate Driver, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Input Type Non-Inverting —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (automotive VBS range) —
VCC Supply Voltage 12 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.3 V —
Current Sense Comparator Integrated (CS pin with reference) —
Fault Output Yes (open-drain FAULT pin) —
Floating Channel Transient Immunity Negative VS transient tolerant, dV/dt immune —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C -40 C to +125 C
Корпус 8-SOIC (3.90 mm body width) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL 3 MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Configuration — High-Side Single Channel
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Количество выходов — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Время нарастания — 80 ns (typ)
Время спада — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
Корпус / Типоразмер — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену