IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DSTRPBF par Infineon et IR2153STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,65
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
Boîtier 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Nombre de sorties — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis