IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DSTRPBF von Infineon und IR2153STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,65
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Anzahl der Ausgänge — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
MSL-Level — 1

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern