IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2153DSTRPBF от Infineon и IR2153STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,65
Топология Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
Корпус 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Количество выходов — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
Рабочая температура — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену