IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2153DSTRPBF por Infineon e IR2153STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,65
Topologia Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
Encapsulamento 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Número de saídas — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
Temperatura de operação — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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