ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N04NM7VATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W 219 W
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Boîtier PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Niveau MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Courant de drain continu (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Fiches techniques et ressources

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