ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N04NM7VATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W 219 W
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Nível MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação