ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N04NM7VATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Boîtier PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (Tj)
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Niveau MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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