ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L024ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N04NM7VATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (Tj)
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Nível MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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