ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC011N04NM7VATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7L024ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUCN08S7L024ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.41 | $1.68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL 레벨 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 177 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | — | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 148 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS 상태 | — | Compliant |