ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC024N08NM7ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC024N08NM7ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format PG-TDSON-8 (SSO8) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Yes —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Boîtier — PG-TDSON-8 (source-down)
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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