ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC024N08NM7ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8 (SSO8) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Encapsulamento — PG-TDSON-8 (source-down)
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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