ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC025N08NM5LF2ATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC025N08NM5LF2ATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,74 | $0,86 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 198 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 2.55 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max | 3.9 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Max | 96 nC | — |
| Power Dissipation @ TA | 3 W | — |
| Power Dissipation @ TC | 217 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |