ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC025N08NM5LF2ATMA1 제조: Infineon 및 ISC028N03LF2SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.74 $0.86
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 198 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 2.55 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max 3.9 V —
Total Gate Charge (Qg) Max 96 nC —
Power Dissipation @ TA 3 W —
Power Dissipation @ TC 217 W —
패키지 PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Polarity N-Channel —
RoHS 상태 Compliant —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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