ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC030N12NM6ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $0,41 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| Niveau MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |