ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC030N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC030N12NM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,41
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (trench) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Verlustleistung (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
MSL-Level — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

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