ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC030N12NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISC011N04NM7VATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.62 | $0.41 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL 레벨 | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |