ISC037N12NM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC037N12NM6ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,62 | $0,48 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| Courant de drain pulsé | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |