ISC037N12NM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC037N12NM6ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,62 | $0,48 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| Corrente de dreno pulsada | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| Número de pinos | — | 3 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |