ISC037N12NM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC037N12NM6ATMA1 от Infineon и IPB35N10S3L26ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC037N12NM6ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,62 | $0,48 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| Импульсный ток стока | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| Количество выводов | — | 3 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |