ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon et BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC080N10NM6ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |