ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon e BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC080N10NM6ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Contagem de pinos — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fichas técnicas e recursos

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