ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon и BSC117N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC080N10NM6ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Корпус PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Без галогенов Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Число выводов — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену