ISC080N10NM6ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon et IPD33CN10NGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC080N10NM6ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Boîtier PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55C to +175C (TJ)
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]

Fiches techniques et ressources

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