ISC080N10NM6ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon e IPD33CN10NGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC080N10NM6ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55C to +175C (TJ)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]

Fichas técnicas e recursos

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