ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon et ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC080N10NM6ATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | 3.4 V (typ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |