ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon и ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC080N10NM6ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA 3.4 V (typ)
Корпус PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Число выводов — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену