ISC300N20NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC300N20NM6ATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ ActifInfineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC300N20NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,15 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | 66 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |