ISC300N20NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC300N20NM6ATMA1 por Infineon e IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISC300N20NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,15 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | 66 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C |
| Nível MSL | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |