ISC300N20NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC300N20NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IQDH35N03LM5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC300N20NM6ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.15 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 200V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A 66 A
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
パッケージ PG-TDSON-8 PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Operating Mode Enhancement —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
MSLレベル — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼