ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon et IQE020N04LM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ072N06NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C ( Tj max 175C ) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Nombre de broches — 9
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis