ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISZ072N06NM6ATMA1 от Infineon и IQE020N04LM6CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,38 | $1,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| Число выводов | — | 9 |
| Lead-Free | — | Yes |