ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon e IQE020N04LM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ072N06NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Dissipação de potência (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C ( Tj max 175C ) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Contagem de pinos — 9
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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