K3KL9L90DM-JGCT vs K3KL2L20DM-JGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL9L90DM-JGCT par Samsung Electronics et K3KL2L20DM-JGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K3KL9L90DM-JGCT - LPDDR5X DRAM 16Gbit FBGA-315 | Samsung
K3KL9L90DM-JGCT ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL9L90DM-JGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $65,18 | $20,80 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 48 Gb |
| Boîtier | FBGA-315 | 441-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate for JGCT speed grade] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: x organization] | x64 |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank/group configuration] | — |
| Interface | [DATA_NEEDED: channel configuration] | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Statut RoHS | Compliant | unknown |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: body dimensions] | — |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |