K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WF-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics et K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCPB | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $2,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate 4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Boîtier | FBGA-78 (PB) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Statut RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | — |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |