K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G045WD-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G045WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $3,45 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 1G x4 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | TFBGA-78 (FBGA-78) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Interface | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self refresh supported (per Partstack listing) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Die Generation | — | D-die |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) |
| Self Refresh | — | Yes |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] |
| Bank Architecture | — | DDR4 8 internal banks with bank groups |
| Lead Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Packaging Option | — | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] |