K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G045WD-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G045WD-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,58 | $3,45 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | 1G x4 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Скорость передачи данных | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 (TFBGA) | TFBGA-78 (FBGA-78) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self refresh supported (per Partstack listing) |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Die Generation | — | D-die |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) |
| Self Refresh | — | Yes |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] |
| Bank Architecture | — | DDR4 8 internal banks with bank groups |
| Lead Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Packaging Option | — | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] |