K4A4G085WF-BITD vs MT40A512M8RH-075E:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics et MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G085WF-BITD MT40A512M8RH-075E:B
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Speed 2666 Mbps (MT/s) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
Température de fonctionnement -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Boîtier 78-ball FBGA (78FBGA) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
Bank Architecture 8 banks x 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
Latence CAS CL19 (typical at 2666 Mbps) —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Interface Parallel, DDR4 SSTL12 —
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
Termination ODT / dynamic ODT —
Data Mask DM supported (x8) —
Application Grade Industrial —
Débit de données — 2666 MT/s (DDR4-2666)
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Type d'interface — Parallel
I/O Structure — 1.2V pseudo open-drain
Tension de référence — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Speed Grade Suffix — -075E
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

Fiches techniques et ressources

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