K4A4G085WF-BITD vs MT40A512M8RH-075E:B 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WF-BITD 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M8RH-075E:B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WF-BITD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.65 | $2.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| 패키지 | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| CAS 레이턴시 | CL19 (typical at 2666 Mbps) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel, DDR4 SSTL12 | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| 데이터 속도 | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 기준 전압 | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |