K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et MT40A512M16JY-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16JY-083E
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,90 $5,85
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (Automotive)
Taille de mémoire 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Interface Parallel —
Débit de données 3200 Mbps 2400 MT/s (speed grade -083E)
Access Time 19 ns —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Température de fonctionnement 0C to +85C —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (8 x 14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Statut RoHS Compliant (per JLCPCB listing) —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 16
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
Sans halogène — Compliant
Country of Origin — China

Fiches techniques et ressources

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