K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics e MT40A512M16JY-083E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16JY-083E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $16,90 $5,85
Tipo de memória DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (Automotive)
Tamanho da memória 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Interface Parallel —
Taxa de dados 3200 Mbps 2400 MT/s (speed grade -083E)
Access Time 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Temperatura de operação 0C to +85C —
Encapsulamento FBGA-96 96-FBGA (8 x 14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Status RoHS Compliant (per JLCPCB listing) —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Density — 8 Gbit
Organização da memória — 512M x 16
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
Livre de halogênio — Compliant
Country of Origin — China

Fichas técnicas e recursos

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