K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.90 | $5.85 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Access Time | 19 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| 할로겐 프리 | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |