K4A8G085WB-BIWE vs MT40A1G8SA-075:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |