K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCRC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Fin de vie
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCRC
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Fin de vie Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,95 $4,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Débit de données 2133 Mbps 2400 Mbps (DDR4-2400)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Température de fonctionnement 0 C to +85 C 0C to +95C
Boîtier 78FBGA 78-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
Caractéristiques Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto/Self refresh
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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