K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vida
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria DRAM DRAM
Status do ciclo de vida Fim de vida Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $4,30
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Taxa de dados 2133 Mbps 2400 Mbps (DDR4-2400)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Temperatura de operação 0 C to +85 C 0C to +95C
Encapsulamento 78FBGA 78-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
Recursos Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto/Self refresh
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação