K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCRC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WC-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 단종
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCRC
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 DRAM DRAM
수명 주기 상태 수명 종료 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.95 $4.30
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
데이터 속도 2133 Mbps 2400 Mbps (DDR4-2400)
공급 전압 1.2 V 1.2 V
동작 온도 0 C to +85 C 0C to +95C
패키지 78FBGA 78-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
특징 Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto/Self refresh
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes

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