K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NAFR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics et H5AN8G8NAFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,30 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| Boîtier | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |