K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NAFR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G8NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.30 | $2.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| 패키지 | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| 인터페이스 | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |